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三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网
2028年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术，10d起转向3D DRAM结构。 技术上，单元面积由传统6F²缩减至4F²，可提升单位面积容量30%–50%，兼顾速度与功耗优势；采用IGZO沟道材料抑制漏电，外围电路通过晶圆对晶圆混合键合（PUC）集成，字线材料仍在钼（Mo）与氮化
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点序列中，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。 工作晶片代表设计与工艺方向正确，后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划：2026年完成10a DRAM开发，2027年开展品质测试，2028年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术，
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发布时间：16:02:07
